特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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李轩豪强势晋级烂柯杯第二轮 王星昊丁浩首轮出局

北京时间2024年6月14日 – 第十届“衢州·烂柯杯”中国围棋冠军赛首轮比赛于12日展开争夺，卫冕冠军李轩豪顺利晋级，王星昊、丁浩等多位名将爆冷出局。

李轩豪在首轮比赛中执黑对阵王星昊，两人开局后在左上角展开战斗，王星昊实地损失惨重，此后李轩豪在占据优势的情况下应对得当，顺利取胜。 李轩豪将在第二轮对阵李维清。

上届亚军范廷钰经过官子阶段的激战险胜韩一洲。 在党毅飞和谢尔豪的世界冠军之战中，前者“屠龙”得手，获胜晋级。

芈昱廷遭遇新锐金禹丞，两人比赛节奏飞快，芈昱廷早早陷入劣势，中盘一度有望翻盘，但最终功亏一篑，败下阵来。 丁浩在与童梦成的对阵中遭遇完败。

其他首轮出局的名将包括檀啸、许嘉阳、江维杰、时越、柁嘉熹。

以下是新闻稿的扩充部分：

• 烂柯杯中国围棋冠军赛是中国围棋界最具影响力的赛事之一，被誉为“围棋界的世界杯”。
• 本届烂柯杯冠军赛由中国围棋协会、浙江省体育局、衢州市人民政府主办，吸引了众多国内顶尖棋手参赛。
• 李轩豪是本届烂柯杯冠军赛的最大热门，他曾在2023年夺得冠军，也是目前世界排名第一的棋手。
• 王星昊、丁浩、芈昱廷等棋手都是世界冠军级别的实力派棋手，他们的出局令人意外。

以下是新标题的建议：

• 烂柯杯首轮爆冷连连 李轩豪强势晋级 卫冕冠军之路开启
• 王星昊丁浩首轮出局 烂柯杯冠军争夺更加激烈
• 李轩豪迈出卫冕第一步 烂柯杯第二轮战火重燃